[发明专利]用于在绝缘体上硅晶圆中溶解埋置氧化物的方法有效
| 申请号： | 201780063006.5 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109844911B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 佛雷德里克·阿利伯特 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟;李辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在绝缘体上硅晶圆中溶解埋置氧化物的方法，该方法包括以下步骤：设置绝缘体上硅晶圆(100、300、400、500)，该绝缘体上硅晶圆具有经由埋置氧化物层(102、302、402、502)附接至载体衬底(103、303、403、503)的硅层(101、301、401、501)，并且对所述绝缘体上硅晶圆(100、300、400、500)进行退火以至少部分地溶解所述埋置氧化物层(102、302、402、502)。本发明方法还包括在所述退火步骤之前在所述硅层(101、301、401、501)上或上方设置氧清除层(104、304、404、504)的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘体 上硅晶圆中 溶解 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在绝缘体上硅晶圆中溶解埋置氧化物的方法，该方法包括以下步骤：设置绝缘体上硅晶圆(100、300、400、500)的步骤，该绝缘体上硅晶圆具有经由埋置氧化物层(102、302、402、502)附接至载体衬底(103、303、403、503)的硅层(101、301、401、501)；和对所述绝缘体上硅晶圆(100、300、400、500)进行退火以至少部分地溶解所述埋置氧化物层(102、302、402、502)的步骤；特征在于，所述方法还包括在退火步骤之前在所述硅层(101、301、401、501)上或上方设置氧清除层(104、304、404、504)的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
