[发明专利]高耐蚀刻性旋涂式碳硬掩膜组合物以及利用该组合物的图案化方法有效
| 申请号： | 201780063653.6 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109844639B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 金起洪;李秀珍;李昇炫;李昇勋 | 申请（专利权）人： | 荣昌化学制品株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为了提供有用于半导体光刻工艺的具有高耐蚀刻性的硬掩膜组合物，提供包含二苯并咔唑(dibenzo carbazole)聚合物的旋涂式硬掩膜组合物以及通过旋涂将该组合物进行涂敷于被蚀刻层上部的工艺以及烘烤工艺形成硬掩膜层的图案化方法，本发明的硬掩膜具有能够承受多重蚀刻(mutil etch)过程的高耐蚀刻性、优秀的溶解度特性以及机械特性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 性旋涂式碳硬掩膜 组合 以及 利用 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种旋涂式硬掩膜组合物，其特征在于，作为由以下化学式1表示的二苯并咔唑衍生物聚合物，包含重均分子量在3,000至8,000的聚合物；(化学式1)![]()
在所述化学式中，l、m以及n的范围分别在1≤l≤20、1≤m≤20、1≤n≤20；R1包含氢、![]()
中的任何一种；R2包含![]()
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中的任何一种；R3包含![]()
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中的任何一种。
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