[发明专利]硅晶片用冲洗剂组合物有效
| 申请号： | 201780063904.0 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109844908B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 内田洋平 | 申请（专利权）人： | 花王株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C11D7/04;C11D7/08;C11D7/20;C11D7/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的硅晶片用冲洗剂组合物包含水溶性高分子及水，且上述水溶性高分子为含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液(水分散液S)的Zeta电位Z与二氧化硅水分散液(水分散液S |
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| 搜索关键词： | 晶片 洗剂 组合 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片用冲洗剂组合物，其包含水溶性高分子及水系介质，其中，所述水溶性高分子为含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液即水分散液S的Zeta电位Z与二氧化硅水分散液即水分散液S0的Zeta电位Z0之差即Z－Z0成为25mV以下的水溶性高分子，该含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液即水分散液S包含所述水溶性高分子、二氧化硅粒子、水及视需要包含的盐酸或氨，所述水溶性高分子的浓度为0.1质量％，所述二氧化硅粒子的浓度为0.1质量％，且25℃下的pH值为7.0，该二氧化硅水分散液即水分散液S0包含二氧化硅粒子、水及视需要包含的盐酸或氨，所述二氧化硅粒子的浓度为0.1质量％，且25℃下的pH值为7.0。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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