[发明专利]蚀刻液组合物和蚀刻方法有效
| 申请号： | 201780064257.5 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109844910B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 青木珠美;正元祐次;斋尾佳秀;石崎隼郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社ADEKA |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;C23F1/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，其蚀刻所产生的细线的细化宽度小，细线上部处的1～5μm左右的大小的缺口的发生被抑制，能形成具有期望宽度的细线。一种蚀刻液组合物，其为用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.1～35质量％；(B)羟基烷烃磺酸0.1～20质量％；(C)选自唑系化合物、和结构中具备包含1个以上氮原子且具有3个双键的六元杂环的化合物中的至少1种化合物0.01～1质量％；和，水，所述蚀刻液组合物的25℃下的pH为0.1～4的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻液组合物，其为用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.1～35质量％；(B)羟基烷烃磺酸0.1～20质量％；(C)选自唑系化合物、和结构中具备包含1个以上氮原子且具有3个双键的六元杂环的化合物中的至少1种化合物0.01～1质量％；和，水，所述蚀刻液组合物的25℃下的pH为0.1～4的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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