[发明专利]退火被处理体的制造方法、激光退火基台和激光退火处理装置有效
| 申请号： | 201780064612.9 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109863577B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 郑石焕 | 申请（专利权）人： | JSW阿克迪纳系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;B23K26/10;H01L21/20;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 俞丹;张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种退火被处理体的制造方法、激光退火基台和激光退火处理装置。其中，被处理体的制造方法对被处理体照射激光来进行所述被处理体的退火，包括：支承被处理体的支承步骤；以及对支承的被处理体照射所述激光的照射步骤，所述支承步骤中，至少在对所述被处理体照射激光的照射区域中，利用通过旋转位置调整上端高度位置的凸轮构件来对所述被处理体进行支承。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 处理 制造 方法 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种退火被处理体的制造方法，对被处理体照射激光来进行所述被处理体的退火，其特征在于，包括：支承所述被处理体的支承步骤；以及对所支承的被处理体照射所述激光的照射步骤，所述支承步骤中，至少在对所述被处理体照射激光的照射区域中，利用通过旋转位置调整上端高度位置的凸轮构件来对所述被处理体进行支承。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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