[发明专利]TFT基板

摘要

一种TFT基板，具有多个像素和多个TFT(10)。TFT基板具有：第1导电层(12)，其包含TFT的栅极电极(12g)；栅极绝缘层(13)；半导体层(14)；保护绝缘层(15)，其包含覆盖沟道区域(14c)的部分，具有到达源极区域(14s)的第1开口部(15a)和到达漏极区域(14d)的第2开口部(15b)；以及第2导电层(16)，其包含源极电极(16s)和漏极电极(16d)。多个像素中的每个像素具有补偿电容部(30)，第1导电层还包含第1电极部(12a)，第1电极部(12a)电连接到栅极电极，构成补偿电容部，第2导电层还包含第2电极部(16a)，第2电极部(16a)电连接到漏极电极，与第1电极部重叠，构成补偿电容部。保护绝缘层还具有第3开口部(15c)，第3开口部(15c)与半导体层不重叠，第3开口部(15c)包含：第1部分(15c1)，其与第1电极部及第2电极部重叠；以及第2部分(15c2)，其沿着从第2开口部朝向第1开口部的方向(Da)与第1部分相邻，与第1电极部和/或第2电极部不重叠。

主权项

1.一种TFT基板，具有：多个像素，其排列为具有多个行和多个列的矩阵状；基板；以及多个TFT，其支撑于上述基板，各自连接到上述多个像素中的任意一个像素，上述TFT基板的特征在于，具有：第1导电层，其包含上述多个TFT的栅极电极；栅极绝缘层，其形成在上述第1导电层上；半导体层，其形成在上述栅极绝缘层上，包含沟道区域、源极区域以及漏极区域；保护绝缘层，其包含覆盖上述沟道区域的部分，具有到达上述源极区域的第1开口部和到达上述漏极区域的第2开口部；以及第2导电层，其形成在上述保护绝缘层上，包含：源极电极，其形成在上述保护绝缘层上和上述第1开口部内，在上述第1开口部内与上述源极区域接触；以及漏极电极，其形成在上述保护绝缘层上和上述第2开口部内，在上述第2开口部内与上述漏极区域接触，上述多个像素中的每个像素具有补偿电容部，上述第1导电层还包含第1电极部，上述第1电极部电连接到上述栅极电极，构成上述补偿电容部，上述第2导电层还包含第2电极部，上述第2电极部电连接到上述漏极电极，与上述第1电极部重叠，构成上述补偿电容部，上述保护绝缘层还具有第3开口部，上述第3开口部与上述半导体层不重叠，上述第3开口部包含：第1部分，其与上述第1电极部及上述第2电极部重叠；以及第2部分，其沿着从上述第2开口部朝向上述第1开口部的方向与上述第1部分相邻，与上述第1电极部和/或上述第2电极部不重叠。