[发明专利]超声波内壁击打系统的击打位置控制装置在审
| 申请号： | 201780064899.5 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109923221A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 丁晟焕 | 申请（专利权）人： | 檀国大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C21D7/06 | 分类号： | C21D7/06;B24B1/04 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;黄谦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及超声波击打系统的击打位置控制技术，包括：超声波发生部，用于发生超声波；超声波辐射部，配置为与上述超声波发生部接触并延续，内部包括超声波传导介质，通过上述超声波传导介质传导上述超声波；插入构件，构成为插入被处理物的内部空间，上述被处理物配置在上述超声波辐射部内，上述插入构件从被处理物的一侧插入到上述内部空间，从上述超声波发生部发生的超声波通过上述超声波传导介质从上述被处理物的另一侧传导，通过上述超声波传导介质传导的超声波在插入到上述被处理物的内部空间的上述插入构件的面反射，使得在上述超声波传导介质内形成为驻波，上述被处理物的内壁被上述驻波击打，根据上述插入构件的插入程度调节上述被处理物的上述内壁的击打位置。 | ||
| 搜索关键词： | 被处理物 超声波 超声波传导 插入构件 超声波发生部 击打位置 击打 内壁 超声波辐射 介质传导 驻波 程度调节 控制装置 传导 反射 配置 | ||
【主权项】：
1.一种击打位置控制装置，其特征在于，包括：超声波发生部，用于发生超声波；超声波辐射部，配置为与所述超声波发生部接触并延续，内部包括超声波传导介质，通过所述超声波传导介质传导所述超声波；以及插入构件，构成为插入被处理物的内部空间，所述被处理物配置在所述超声波辐射部内，所述插入构件从被处理物的一侧插入到所述内部空间，从所述超声波发生部发生的超声波通过所述超声波传导介质从所述被处理物的另一侧传导，通过所述超声波传导介质传导的超声波在插入到所述被处理物的内部空间的所述插入构件的面反射，使得在所述超声波传导介质内形成为驻波，所述被处理物的内壁被所述驻波击打，根据所述插入构件的插入程度调节所述被处理物的所述内壁的击打位置。
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