[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780066212.1 申请日: 2017-10-19
公开(公告)号: CN109891579B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 多田晴菜;中岛泰;三田泰之 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在半导体装置(101)中,散热部件(200)连接于功率模块(100)。在金属部件(4)中形成有多个凹部或凸部的任意一者,在散热部件(200)中形成有多个凹部或凸部的任意另一者。金属部件(4)和散热部件(200)在多个凹部和多个凸部接触的多个凹凸部处成为一体。多个凹凸部的一部分即第1凹凸部(C1、V1)与多个凹凸部中的第1凹凸部(C1、V1)之外的第2凹凸部(C2、V2)相比,高度方向的尺寸大。第1凹凸部(C1、V1)的壁面包含具有相对于高度方向的第1倾斜角度的第1壁面部分、和具有与第1倾斜角度不同的第2倾斜角度的第2壁面部分。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其具备:功率模块,其包含半导体元件、搭载有所述半导体元件的金属部件、以及对所述半导体元件进行封装且使所述金属部件的至少一部分露出的封装材料;以及散热部件,其与所述功率模块的所述金属部件连接,在所述金属部件中形成有多个凹部或凸部的任意一者,在所述散热部件中形成有多个凹部或凸部的任意另一者,所述多个凹凸部的一部分即第1凹凸部与所述多个凹凸部中的所述第1凹凸部之外的第2凹凸部相比,高度方向的尺寸大,所述第1凹凸部的壁面包含具有相对于所述高度方向的第1倾斜角度的第1壁面部分、和具有与所述第1倾斜角度不同的第2倾斜角度的第2壁面部分,所述金属部件和所述散热部件在所述多个凹部和所述多个凸部接触的多个凹凸部处成为一体。
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