[发明专利]雪崩光电二极管

摘要

本发明的雪崩光电二极管，在第一导电型且具有均匀杂质浓度的基板半导体层(10)内部包括：第一导电型的第一半导体层(11)、第二导电型的第二半导体层(12)、第二导电型的第三半导体层(13)、第二导电型的第四半导体层(14)、形成于在横方向上远离第三半导体层(13)的位置的第一导电型的第五半导体层(15)、第二导电型的第六半导体层(16)、第一接点(31)以及第二接点(32)。第一半导体层(11)分别与第二半导体层(12)和第五半导体层(15)的正下方相接。第一半导体层(11)与第二半导体层(12)之间的结(AJ)处引起雪崩现象。

主权项

1.一种雪崩光电二极管，其包括：第一半导体层，其在第一导电型且具有均匀的杂质浓度的基板半导体层的内部，以在横方向上占据预定区域的方式形成；第二半导体层，其在所述基板半导体层内部，在所述第一半导体层上且与其相接而形成，且为与所述第一导电型相反的第二导电型；第三半导体层，其在所述基板半导体层内部，在所述第二半导体层上且与其相接而形成，且为比所述第二半导体层的杂质浓度低的所述第二导电型；第四半导体层，其形成于所述第三半导体层中浅的部分，且为比所述第三半导体层的杂质浓度高的所述第二导电型；第五半导体层，其在所述基板半导体层内部，形成于在在横方向上远离所述第三半导体层的位置且为所述第一导电型；第六半导体层，其形成于所述第五半导体层中的浅的部分，且为第五导电型的杂质浓度高的浓度的所述第一导电型；第一接点，其与所述第四半导体层电连接；第二接点，其与所述第六半导体层电连接，其特征在于，所述第一半导体层分别与所述第二半导体层及所述第五半导体层的正下方相接，所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的结处发生雪崩现象。