[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201780066486.0 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109891551A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 片山雅博;土桥正佳;中田昌孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G09F9/00;G09F9/30;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 以低成本且高生产率制造半导体装置。提高半导体装置的制造工序的成品率。在衬底上形成岛状金属氧化物层，以覆盖金属氧化物层的端部的方式在金属氧化物层上形成树脂层，照射光，由此使金属氧化物层与树脂层分离。在形成树脂层之后且照射光之前在树脂层上形成绝缘层。例如，将树脂层形成为岛状，将绝缘层以覆盖树脂层的端部的方式形成。在树脂层上形成粘合层的情况下，优选以位于金属氧化物层的端部的内侧的方式形成粘合层。 | ||
| 搜索关键词： | 树脂层 金属氧化物层 半导体装置 绝缘层 粘合层 照射光 岛状 覆盖树脂层 制造工序 成品率 低成本 衬底 优选 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成金属氧化物层；以覆盖所述金属氧化物层的端部的方式在所述金属氧化物层上形成树脂层；以覆盖所述树脂层的端部的方式在所述树脂层上形成绝缘层；以及通过进行光照射，来将包括所述树脂层及所述绝缘层的叠层从所述金属氧化物层分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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