[发明专利]切割片有效
| 申请号： | 201780067328.7 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110073468B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 山下茂之 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种切割片1，其至少具备基材2与层叠于基材2的第一面侧的粘着剂层3，基材2的第二面的算术平均粗糙度(Ra)为0.01μm以上、0.5μm以下，且基材2的第二面的最大高度粗糙度(Rz)为3μm以下。该切割片1具有适合于工件的高倍率摄像的光线透射性。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 | ||
【主权项】：
1.一种切割片，其至少具备基材与层叠于所述基材的第一面侧的粘着剂层，其特征在于：所述基材的第二面的算术平均粗糙度(Ra)为0.01μm以上、0.5μm以下，且所述基材的第二面的最大高度粗糙度(Rz)为3μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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