[发明专利]磁记录介质用溅射靶有效
| 申请号： | 201780067434.5 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109923610B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 金光谭;栉引了辅;山本俊哉;齐藤伸;日向慎太朗 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;C22C5/04;C22C19/07;C22C32/00;C23C14/06;C23C14/34;G11B5/65 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 鲁雯雯;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供能够制作在维持良好的磁特性的同时实现磁性晶粒的微细化以及磁性晶粒的中心间距离的减小的磁性薄膜的磁记录介质用溅射靶。所述磁记录介质用溅射靶是含有金属Pt和氧化物、余量由金属Co和不可避免的杂质构成的磁记录介质用溅射靶，其中，相对于上述磁记录介质用溅射靶的金属成分的合计，含有70原子％以上且90原子％以下的金属Co，含有10原子％以上且30原子％以下的金属Pt，相对于上述磁记录介质用溅射靶的整体，含有26体积％以上且40体积％以下的上述氧化物，并且，上述氧化物由B |
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| 搜索关键词： | 记录 介质 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质用溅射靶，其含有金属Pt和氧化物，余量由金属Co和不可避免的杂质构成，所述磁记录介质用溅射靶的特征在于，相对于所述磁记录介质用溅射靶的金属成分的合计，含有70原子％以上且90原子％以下的金属Co，含有10原子％以上且30原子％以下的金属Pt，相对于所述磁记录介质用溅射靶的整体，含有26体积％以上且40体积％以下的所述氧化物，并且，所述氧化物由B2O3和熔点为1470℃以上且2800℃以下的一种以上的高熔点氧化物构成。
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