[发明专利]电容器、电极、还原氧化石墨烯以及制造的方法和设备在审
| 申请号： | 201780067488.1 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109906499A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 林瀚;贾宝华 | 申请（专利权）人： | 斯威本科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/28;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 一种方法，其包括将氧化石墨烯(GO)用光束或辐射束照射，从而形成三维(3D)图案的还原氧化石墨烯(RGO)，其中所述RGO为具有孔的多孔RGO，所述孔具有通过控制所述光束或辐射束来调节的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 还原氧化石墨烯 辐射束 电容器 方法和设备 氧化石墨烯 电极 三维 照射 图案 制造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：将氧化石墨烯(GO)用光束或辐射束来照射，从而形成三维(3D)图案的还原氧化石墨烯(RGO)，其中所述RGO为具有孔的多孔RGO，所述孔具有通过控制所述光束或辐射束来调节的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
