[发明专利]单晶提拉装置在审
申请号: | 201780067855.8 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN109923248A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 添田聪;中川和也 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B15/04 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种单晶提拉装置。掺杂剂供给单元具备:设置于腔室的外部并收纳掺杂剂且将其投入到腔室内的投入装置、设置于腔室的内部且对从投入装置投入的掺杂剂进行保持并使其升华的升华室、向该升华室导入载气的载气导入装置、以及将在升华室中升华了的掺杂剂与载气一起向原料熔液面吹送的吹送装置,吹送装置具备与升华室连结的管和多个吹送口,使升华了的掺杂剂经由管从多个吹送口向原料熔液面分散地吹送。由此,能够提供一种单晶提拉装置,当掺杂升华性掺杂剂时,能够以尽量短的时间高效地掺杂掺杂剂。 | ||
搜索关键词: | 掺杂剂 升华室 吹送 单晶提拉装置 载气 吹送装置 投入装置 原料熔液 升华 腔室 掺杂 收纳 导入装置 供给单元 升华性 连结 室内 外部 | ||
【主权项】:
1.一种单晶提拉装置,其具备:用于对收容于坩埚的原料进行加热而制成原料熔液的加热器、容纳该加热器和所述坩埚的腔室、以及向所述原料熔液供给升华性的掺杂剂的掺杂剂供给单元,且用切克劳斯基法从所述原料熔液中提拉单晶硅,所述单晶提拉装置特征在于,所述掺杂剂供给单元具备:设置于所述腔室的外部并收纳所述掺杂剂且将其投入到所述腔室内的投入装置、设置于所述腔室的内部且对从所述投入装置投入的掺杂剂进行保持并使其升华的升华室、向该升华室导入载气的载气导入装置、以及将在所述升华室中升华了的掺杂剂与来自该载气导入装置的载气一起向所述原料熔液面吹送的吹送装置,该吹送装置具备与所述升华室连结的管和多个吹送口,使所述升华了的掺杂剂经由所述管从所述多个吹送口向所述原料熔液面分散地吹送。
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