[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装有效
| 申请号： | 201780068543.9 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN109923682B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 成演准;姜基晩;金珉成;朴修益;李容京;李恩得;林显修 | 申请（专利权）人： | 苏州乐琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/36;H01L33/22;H01L33/48;H01L33/10;H01L33/42 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 在一个实施例中公开了一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，与第一导电半导体层电连接；第二电极，与第二导电半导体层电连接；反射层，设置在第二电极上；以及覆盖层，设置在反射层上并包括多个层，其中，覆盖层包括直接设置在所述反射层上的第一层，并且第一层包括Ti。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到所述第一导电半导体层；第二电极，电耦接到所述第二导电半导体层；反射层，设置在所述第二电极上；以及覆盖层，设置在所述反射层上并包括多个层，其中，所述覆盖层包括设置在所述反射层上的第一层，并且所述第一层包括Ti。
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