[发明专利]氧化物半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201780068645.0 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109923649A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 后藤哲也;水村通伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社V技术;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/28;H01L21/324;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氧化物半导体装置的制造方法。在具有氧化物半导体的活性层的氧化物半导体装置的制造工序中，实现工序的简化并实现生产率的提高。本发明是具有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物半导体层的活性层的氧化物半导体装置的制造方法，对活性层(13A)的形成区域照射激光，以实施对活性层(13A)赋予抗蚀刻性的激光退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体 活性层 氧化物半导体层 制造 区域照射激光 激光退火 抗蚀刻性 制造工序 赋予 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体装置的制造方法，所述氧化物半导体装置具有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物半导体层的活性层，所述氧化物半导体装置的制造方法的特征在于，对所述活性层的形成区域照射激光，以实施对所述活性层赋予抗蚀刻性的激光退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社V技术;国立大学法人东北大学，未经株式会社V技术;国立大学法人东北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780068645.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：处理被处理体的方法
- 下一篇：具有提高的导热性的耐应变管芯附着和制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
