[发明专利]处理被处理体的方法

摘要

一实施方式是一种处理被处理体的方法，该被处理体包括：含有硅氧化物的被蚀刻层、设置于被蚀刻层上的掩模和设置于掩模的使被蚀刻层露出的槽，在该方法中反复执行如下流程：生成含氮的第一处理气体的等离子体以在被蚀刻层的露出面的原子层形成包含该等离子体所含离子的混合层，生成含氟的第二处理气体的等离子体以利用该等离子体所含的自由基除去混合层，从而按原子层除去被蚀刻层，由此对被蚀刻层进行蚀刻。第二处理气体的等离子体包含自由基，该自由基能够除去含有硅氮化物的混合层。

主权项

1.一种处理被处理体的方法，其特征在于：所述被处理体包括被蚀刻层、设置于该被蚀刻层上的掩模和设置于该掩模的槽，该槽从掩模的表面形成至该被蚀刻层使该被蚀刻层露出，所述方法反复执行包括如下工序的流程：第一工序，其在收纳有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成第一处理气体的等离子体，经由所述槽在所述被蚀刻层的表面的原子层形成包含该第一处理气体的等离子体所含的离子的混合层；第二工序，其在执行了所述第一工序后，对所述处理容器内的空间进行吹扫；第三工序，其在执行了所述第二工序后，在所述处理容器内生成第二处理气体的等离子体，利用该第二处理气体的等离子体所含的自由基除去所述混合层；和第四工序，其在执行了所述第三工序后，对所述处理容器内的空间进行吹扫，从而按原子层除去所述被蚀刻层，由此对被蚀刻层进行蚀刻，所述被蚀刻层含有硅氧化物，所述第一处理气体含氮，所述第二处理气体含氟，在所述第三工序中生成的所述第二处理气体的等离子体包含所述自由基，所述自由基能够除去含有硅氮化物的所述混合层。