[发明专利]使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片有效

专利信息
申请号: 201780068908.8 申请日: 2017-09-08
公开(公告)号: CN109923479B 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: M·N·J·范科尔维克;V·S·凯伯;M·J-J·维兰德 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/82
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;吕世磊
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法,无掩模光刻曝光系统使用无掩模图案写入器,其中生成用于控制无掩模图案写入器曝光晶片以用于创建电子器件的束波控制数据。基于设计版图数据和选择数据生成束波控制数据,设计版图数据定义适用于要从晶片制造的电子器件的多个结构(例如,过孔),选择数据定义设计版图数据的哪些结构适用于要从晶片制造的每个电子器件,选择数据定义用于电子器件的不同子集的结构的不同集合。根据束波控制数据对晶片的曝光导致针对电子器件的不同子集曝光具有结构的不同集合的图案。
搜索关键词: 使用 带电 粒子 波光 系统 制造 独特 芯片
【主权项】:
1.一种使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法,所述无掩模光刻曝光系统使用无掩模图案写入器,所述方法包括:生成用于控制所述无掩模图案写入器曝光晶片以用于创建所述电子器件的束波控制数据,其中所述束波控制数据基于以下项生成:设计版图数据,定义用于要从所述晶片制造的所述电子器件的多个结构;以及选择数据,定义所述设计版图数据的所述结构中的哪些结构适用于要从所述晶片制造的每个电子器件,所述选择数据定义用于所述电子器件的不同子集的所述结构的不同集合,其中根据所述束波控制数据对所述晶片的曝光导致针对所述电子器件的不同子集曝光具有所述结构的不同集合的图案。
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