[发明专利]通过跨层图像相减的晶片噪声减少有效
申请号: | 201780068952.9 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN109923654B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | B·布拉尔 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 通过计算多层晶片的跨层差异图像而提供光学检验工具的差异图像中的噪声减少。使用第一晶片层的第一晶片图像及第二晶片层的第二晶片图像。所述第一晶片图像及所述第二晶片图像在所述多层晶片上的相同平面位置处,但它们是不同层及/或在不同工艺步骤之后的图像。计算所述第一晶片图像与所述第二晶片图像之间的第一差异图像以减少晶片噪声。可使用所述第一差异图像来识别缺陷。可使用具有图像数据采集子系统的系统来执行此技术。 | ||
搜索关键词: | 通过 图像 晶片 噪声 减少 | ||
【主权项】:
1.一种用于多层晶片中的缺陷识别期间的噪声减少的方法,其包括:使用图像数据采集子系统执行对安置于所述多层晶片的第一晶片层上的第二晶片层的第二晶片扫描;使用所述图像数据采集子系统将所述第二晶片扫描转换为对应于所述第二晶片层的第二晶片图像;在处理器处接收第一晶片图像及所述第二晶片图像,其中所述第一晶片图像是所述第一晶片层的图像,且其中所述第二晶片图像及所述第一晶片图像在所述多层晶片上的相同平面位置处;使用所述处理器通过计算所述第一晶片图像与所述第二晶片图像之间的第一差异图像而减少图像噪声;及使用所述处理器基于所述第一差异图像识别一或多个缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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