[发明专利]SiC单晶复合体和SiC锭有效
| 申请号： | 201780068972.6 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109952393B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 藤川阳平;上东秀幸 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本SiC单晶复合体具备位于俯视中央的中央部和围绕所述中央部外周的外周部，所述中央部与所述外周部的结晶面倾斜或不同，在所述中央部与所述外周部之间具有边界，构成所述中央部的结晶的方向与构成所述外周部的结晶方向隔着所述边界而不同。 | ||
| 搜索关键词： | sic 复合体 | ||
【主权项】：
1.一种SiC单晶复合体，具备：位于俯视中央的中央部、以及围绕所述中央部的外周的外周部，所述中央部与所述外周部的结晶面倾斜或不同，在所述中央部与所述外周部之间具有边界，构成所述中央部的结晶的方向与构成所述外周部的结晶的方向隔着所述边界而不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780068972.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：结晶性氧化物半导体膜及半导体装置
- 下一篇：吹气辅助电纺丝
