[发明专利]激光照射装置及薄膜晶体管的制造方法在审
申请号: | 201780069323.8 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN109952630A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 水村通伸;新井敏成;畑中诚;竹下琢郎 | 申请(专利权)人: | V科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;洪秀川 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一个实施方式的激光照射装置具备:光源,其产生激光;投影透镜,其向分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定区域照射该激光;及投影掩模图案,其设置在该投影透镜上,包含设定有该激光透过的比例即透射率的多个掩模,该投影透镜对于沿规定的方向移动的该玻璃基板上的该多个薄膜晶体管,分别经由该投影掩模图案所包含的该多个掩模来照射该激光,该投影掩模图案包含的该多个掩模分别设定多个该透射率中的任一个。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 投影透镜 投影掩模 掩模 激光照射装置 激光 玻璃基板 透射率 图案 非晶硅薄膜 方向移动 激光透过 区域照射 粘附 光源 照射 制造 | ||
【主权项】:
1.一种激光照射装置,其特征在于,具备:光源,其产生激光;投影透镜,其向分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光;及投影掩模图案,其设置在所述投影透镜上,包含设定有所述激光透过的比例即透射率的多个掩模,所述投影透镜对于沿规定的方向移动的所述玻璃基板上的所述多个薄膜晶体管,分别经由所述投影掩模图案所包含的所述多个掩模来照射所述激光,所述投影掩模图案包含的所述多个掩模分别设定有多个所述透射率中的任一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造