[发明专利]光检测装置有效
| 申请号： | 201780069391.4 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109937485B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 石田笃司;马场隆;永野辉昌;细川畅郎 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 光检测装置包括：具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板；和在厚度方向上贯通半导体基板的多个贯通电极。半导体基板具有以盖革模式工作的多个雪崩光电二极管。多个贯通电极与对应的雪崩光电二极管电连接。半导体基板包括：至少在第一方向上排列有多个雪崩光电二极管的第一区域；和二维排列有多个贯通电极的第二区域。第一区域和第二区域，从与第一主面正交的方向看在与第一方向正交的第二方向上排列。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光检测装置，其特征在于，包括：半导体基板，其具有彼此相对的第一主面和第二主面，并且具有以盖革模式工作的多个雪崩光电二极管；和与所述多个雪崩光电二极管中的对应的雪崩光电二极管电连接，并且在厚度方向上贯通所述半导体基板的多个贯通电极，所述半导体基板具有：至少在第一方向上排列有所述多个雪崩光电二极管的第一区域；和二维排列有所述多个贯通电极的第二区域，所述第一区域和所述第二区域，从与所述第一主面正交的方向看在与所述第一方向正交的第二方向上排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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