[发明专利]研磨用组合物及硅晶圆的研磨方法有效

专利信息
申请号: 201780069432.X 申请日: 2017-11-06
公开(公告)号: CN110099977B 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 秋月丽子;土屋公亮;谷口惠 申请(专利权)人: 福吉米株式会社
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;C09G1/02
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供能实现高平坦性的研磨用组合物、及硅晶圆的研磨方法。研磨用组合物含有磨粒和碱性化合物,磨粒的异形度参数与粒径分布宽度的乘积为4以上。磨粒的异形度参数是构成磨粒的各颗粒的投影面积Sr与各颗粒的虚拟投影面积Si之比Sr/Si减1而得的值的绝对值|Sr/Si‑1|的平均值,虚拟投影面积Si是以各颗粒的垂直费雷特直径为直径的虚拟圆的面积。磨粒的粒径分布宽度是磨粒的体积基准的累积粒径分布中的90%粒径与10%粒径之差。90%粒径与10%粒径的单位为nm。
搜索关键词: 研磨 组合 硅晶圆 方法
【主权项】:
1.一种研磨用组合物,其含有磨粒和碱性化合物,所述磨粒的异形度参数与粒径分布宽度的乘积为4以上,所述磨粒的异形度参数是构成所述磨粒的各颗粒的投影面积Sr与所述各颗粒的虚拟投影面积Si之比Sr/Si减1而得的值的绝对值|Sr/Si‑1|的平均值,所述虚拟投影面积Si是以所述各颗粒的垂直费雷特直径为直径的虚拟圆的面积,所述磨粒的粒径分布宽度是所述磨粒的体积基准的累积粒径分布中的90%粒径与10%粒径之差。
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