[发明专利]磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板、磁记录介质和磁记录再生装置用玻璃间隔物有效
申请号: | 201780069628.9 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN109923083B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 佐藤浩一;桥本和明 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | C03C3/091 | 分类号: | C03C3/091;C03C3/085;C03C3/087;G11B5/73 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 崔立宇;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
提供一种磁记录介质基板用玻璃,其为非晶态的氧化物玻璃,该非晶态的氧化物玻璃中,以摩尔%表示,SiO |
||
搜索关键词: | 记录 介质 基板用 玻璃 再生 装置 间隔 | ||
【主权项】:
1.一种磁记录介质基板用玻璃,其为非晶态的氧化物玻璃,在该非晶态的氧化物玻璃中,以摩尔%表示,SiO2的含量为45%~68%、Al2O3的含量为5%~20%、SiO2与Al2O3的总含量(SiO2+Al2O3)为60%~80%、B2O3的含量为0~5%、MgO的含量为3%~28%、CaO的含量为0~18%、BaO和SrO的总含量(BaO+SrO)为0~2%、碱土金属氧化物的总含量(MgO+CaO+SrO+BaO)为12%~30%、碱金属氧化物的总含量(Li2O+Na2O+K2O)为3.5%~15%,包含选自由Sn氧化物和Ce氧化物组成的组中的至少一种,Sn氧化物和Ce氧化物的总含量为0.05%~2.00%,该非晶态的氧化物玻璃的玻璃化转变温度为625℃以上、杨氏模量为83GPa以上、比重为2.85以下、且100℃~300℃的平均线性膨胀系数为48×10‑7/℃以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780069628.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:玻璃
- 下一篇:带有树脂带的玻璃膜的制造方法、及玻璃膜的制造方法