[发明专利]MOS构件、电路和用于机动车的电池单元在审

申请号：	201780069717.3	申请日：	2017-09-13
公开（公告）号：	CN109923646A	公开（公告）日：	2019-06-21
发明（设计）人：	J·朱斯;W·冯埃姆登	申请（专利权）人：	罗伯特·博世有限公司
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L29/788;H01L29/792
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	郭毅
地址：	德国斯***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本发明涉及一种MOS构件(2)，该MOS构件具有源极区(4)、漏极区(6)、体区(8)、沟道区(10)和栅极元件(12)，其中，栅极元件(12)与所述沟道区(10)通过第一单层(14)、第二单层(16)和第三单层(18)形式的至少三个单层的整体彼此电绝缘。第二单层(16)在此构型成可以永久地存储电荷。与布置在所述第二单层(16)与所述栅极区(12)之间的第一单层(14)相比，布置在所述沟道区(10)与所述第二单层(16)之间的第三单层(18)具有更大的等效氧化物厚度。
搜索关键词：	单层沟道区栅极元件等效氧化物存储电荷电池单元电绝缘漏极区源极区栅极区构型体区机动车电路
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【主权项】：

1.一种MOS构件(2)，其具有栅极元件(12)和沟道区(10)，其中，在所述栅极元件(12)与所述沟道区(10)之间布置有电绝缘层，所述电绝缘层由至少三个单层(14，16，18)构成，其中，与所述栅极元件(12)邻接的第一单层(14)由电绝缘材料构成，既不与所述栅极元件(12)邻接也不与所述沟道区(10)邻接的第二单层(16)是存储层，所述存储层适用于永久地存储电荷，并且与所述沟道区(10)邻接的第三单层(18)由电绝缘材料构成，其特征在于，与布置在所述第二单层(16)与所述栅极区(12)之间的单层的等效氧化物厚度的整体相比，布置在所述沟道区(10)与所述第二单层(16)之间的单层的整体具有更大的等效氧化物厚度。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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