[发明专利]化合物半导体及化合物半导体单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201780071427.2 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109963967B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 野田朗;川平启太;平野立一 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种在直径75mm以上的大口径InP单晶基板中，即便是Zn浓度为5×10 |
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| 搜索关键词： | 化合物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂有Zn的InP单晶基板，其直径为75mm以上且Zn浓度为5×1018cm‑3以上，其特征在于：在晶圆状基板的表面的中心部的点与距晶圆外周5mm的内侧的圆周上的任意点的共计2点测量点，Zn的电性活化率超过85％。
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