[发明专利]核壳粒子、核壳粒子的制造方法及薄膜在审
| 申请号： | 201780071507.8 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109996762A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 小野雅司;佐佐木勉 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | C01B25/08 | 分类号： | C01B25/08;C09K11/08;C09K11/70 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹阳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种发光效率高、发光半宽度窄的核壳粒子及其制造方法以及使用核壳粒子的薄膜。本发明的核壳粒子为如下核壳粒子：其具有含有III族元素及V族元素的核、覆盖核的表面的至少一部分的第1壳、覆盖第1壳的至少一部分的第2壳以及在最表面的至少一部分的配位性分子，所述核壳粒子中，通过X射线光电子能谱分析至少检测出硅，根据X射线光电子能谱分析求出的硅相对于核中所包含的III族元素的摩尔比为3.1以下。 | ||
| 搜索关键词： | 核壳粒子 薄膜 发光效率 摩尔比 配位性 覆盖 制造 发光 检测 | ||
【主权项】：
1.一种核壳粒子，其具有含有III族元素及V族元素的核、覆盖所述核的表面的至少一部分的第1壳、覆盖所述第1壳的至少一部分的第2壳以及在最表面的至少一部分的配位性分子，所述核壳粒子中，通过X射线光电子能谱分析至少检测出硅，根据X射线光电子能谱分析求出的所述硅相对于所述核中所包含的所述III族元素的摩尔比为3.1以下。
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