[发明专利]选择性沉积无腐蚀金属触点的方法在审
| 申请号： | 201780071771.1 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110024132A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 徐翼;马飞跃;雷雨;大东和也;维卡什·班西埃;吴凯;詹·跃·王;常梅 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成触点线的方法包括清洁在沟槽中的钴膜的表面及在此钴的表面上形成保护层，此保护层包括硅化物或锗化物中的一或多种。也公开了具有触点线的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 保护层 触点线 半导体装置 选择性沉积 金属触点 硅化物 无腐蚀 锗化物 钴膜 清洁 | ||
【主权项】：
1.一种形成触点线的方法，所述方法包含以下步骤：提供具有沟槽的基板表面，且所述沟槽中具有钴；清洁所述钴的表面；和在所述钴的所述表面上形成保护层，所述保护层包含硅化物或锗化物中的一或多种。
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