[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780071781.5 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110024135B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/522;H01L27/088;H10K59/121;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使半导体装置具有良好的电特性。另外，提供可靠性高的半导体装置。在包括作为半导体层使用金属氧化物的底栅极型晶体管的半导体装置中，金属氧化物包括源极区域、漏极区域、第一区域、第二区域及第三区域。第一区域、第二区域和第三区域都沿着沟道长度方向夹在源极区域与漏极区域之间。第二区域沿着沟道宽度方向夹在第一区域和第三区域之间，第一区域和第三区域都包括金属氧化物的端部，在沿着沟道长度方向的长度中，第二区域的长度小于第一区域的长度或第三区域的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种包括金属氧化物的半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；所述栅电极上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的所述金属氧化物；所述金属氧化物上的一对电极；以及所述金属氧化物上的第二绝缘膜，其中，所述金属氧化物包括源极区域、漏极区域、第一区域、第二区域以及第三区域，所述源极区域与所述一对电极的一方接触，所述漏极区域与所述一对电极的另一方接触，所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域都沿着沟道长度方向夹在所述源极区域和所述漏极区域之间，所述第二区域沿着沟道宽度方向夹在所述第一区域和所述第三区域之间，所述第一区域及所述第三区域都包括所述金属氧化物的端部，并且，在沿着沟道长度方向的长度中，所述第二区域的长度小于所述第一区域的长度或所述第三区域的长度。
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