[发明专利]用于加工硅基光伏器件的方法有效

专利信息
申请号: 201780072249.5 申请日: 2017-11-22
公开(公告)号: CN109983561B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: S·R·韦纳姆;A·切希拉;D·巴格诺尔;R·陈;M·D·阿博特;B·J·哈勒姆;C·E·陈;C·M·庄;D·陈;D·N·佩恩;L·麦;金文龙;冯浚桁;施正荣 申请(专利权)人: 新南创新私人有限公司
主分类号: H01L21/30 分类号: H01L21/30;H01L21/324
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王青芝;黄纶伟
地址: 澳大利亚新*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开提供了用于加工硅基光伏器件的方法。具体来说,本公开涉及在制造光伏器件期间使用氢来钝化硅中的缺陷并解决光致劣化。本公开中的方法利用在中性或带电状态下生成并操纵氢以优化缺陷钝化。其中一些方法公开了使用热处理,利用子带隙光子照射硅中的电场或缺陷,来控制电荷或氢的状态,将氢移动至器件中的不同位置或将氢保留在特定位置处。
搜索关键词: 用于 加工 硅基光伏 器件 方法
【主权项】:
1.一种用于加工具有掺杂区的硅基光伏器件的方法,该方法包括以下步骤:(a)设置包含氢的光伏器件;(b)按下述方式对所述器件的至少一部分进行热处理:氢朝着至少一个掺杂区迁移,以使所述至少一个掺杂区内的氢浓度增加到氢造成光致劣化的最小氢浓度以上;(c)按下述方式处理所述器件的至少一部分:所述至少一个掺杂区内的原子氢浓度下降至预定浓度以下;该预定浓度是氢在该区中造成光致劣化的最小原子氢浓度;其中,进行步骤(b),以使氢原子分布在所述至少一个掺杂硅区内,并且进行步骤(c),以使氢迁移出所述至少一个掺杂硅区。
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