[发明专利]用于加工硅基光伏器件的方法有效
申请号: | 201780072249.5 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN109983561B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | S·R·韦纳姆;A·切希拉;D·巴格诺尔;R·陈;M·D·阿博特;B·J·哈勒姆;C·E·陈;C·M·庄;D·陈;D·N·佩恩;L·麦;金文龙;冯浚桁;施正荣 | 申请(专利权)人: | 新南创新私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30;H01L21/324 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王青芝;黄纶伟 |
地址: | 澳大利亚新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了用于加工硅基光伏器件的方法。具体来说,本公开涉及在制造光伏器件期间使用氢来钝化硅中的缺陷并解决光致劣化。本公开中的方法利用在中性或带电状态下生成并操纵氢以优化缺陷钝化。其中一些方法公开了使用热处理,利用子带隙光子照射硅中的电场或缺陷,来控制电荷或氢的状态,将氢移动至器件中的不同位置或将氢保留在特定位置处。 | ||
搜索关键词: | 用于 加工 硅基光伏 器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于加工具有掺杂区的硅基光伏器件的方法,该方法包括以下步骤:(a)设置包含氢的光伏器件;(b)按下述方式对所述器件的至少一部分进行热处理:氢朝着至少一个掺杂区迁移,以使所述至少一个掺杂区内的氢浓度增加到氢造成光致劣化的最小氢浓度以上;(c)按下述方式处理所述器件的至少一部分:所述至少一个掺杂区内的原子氢浓度下降至预定浓度以下;该预定浓度是氢在该区中造成光致劣化的最小原子氢浓度;其中,进行步骤(b),以使氢原子分布在所述至少一个掺杂硅区内,并且进行步骤(c),以使氢迁移出所述至少一个掺杂硅区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造