[发明专利]层合体

摘要

本申请涉及嵌段共聚物及其用途。本申请可以提供层合体以及使用其生产图案化基底的方法，所述层合体能够在基底上形成高度取向的嵌段共聚物，并因此可以有效地应用于生产各种图案化基底。

主权项

1.一种层合体，包括：包含嵌段共聚物的嵌段共聚物膜，所述嵌段共聚物包含满足以下条件1至条件3中的一个或更多个的聚合物链段A、以及与所述聚合物链段A不同的并且与所述聚合物链段A的表面能之差的绝对值为10mN/m或更小的聚合物链段B；以及聚合物膜，所述聚合物膜形成为与所述嵌段共聚物膜接触，并且包含含有下式1的单体单元和下式3的单体单元的无规共聚物，条件1：在DSC分析中在‑80℃至200℃的范围内显示出熔融转变峰或各向同性转变峰：条件2：在XRD分析中在0.5nm^‑1至10nm^‑1的散射矢量(q)范围内显示出半值宽度在0.2nm^‑1至0.9nm^‑1的范围内的峰：条件3：包含侧链，其中所述侧链中的成链原子的数目(n)与XRD分析中的散射矢量(q)满足以下方程式1：[方程式1]3nm^‑1至5nm^‑1＝nq/(2xπ)其中，n为所述成链原子的数目，以及q为其中在所述嵌段共聚物的X射线衍射分析中观察到峰的最小散射矢量(q)、或者其中观察到最大峰面积的峰的散射矢量(q)：[式1]其中，R为氢或具有1至4个碳原子的烷基，X为单键、氧原子、硫原子、‑S(＝O)₂‑、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、‑C(＝O)‑X₁‑或‑X₁‑C(＝O)‑，其中X₁为氧原子、硫原子、‑S(＝O)₂‑、亚烷基、亚烯基或亚炔基，以及Y为包含连接有具有8个或更多个成链原子的侧链的环结构的一价取代基：[式3]其中，X₂为单键、氧原子、硫原子、‑S(＝O)₂‑、亚烷基、亚烯基、亚炔基、‑C(＝O)‑X₁‑或‑X₁‑C(＝O)‑，其中X₁为单键、氧原子、硫原子、‑S(＝O)₂‑、亚烷基、亚烯基或亚炔基，以及W为包含至少一个卤素原子的芳基。