[发明专利]用于薄膜沉积的短无机三甲硅烷基胺基聚硅氮烷

摘要

披露了用于高纯度薄膜沉积的不含Si‑C并且是挥发性的硅氮烷前体。

主权项

1.一种形成含硅膜的组合物，其包含选自下组的前体，该组由以下各项组成：(a)[(SiR₃)₂NSiH₂]_m‑NH_2‑m‑C≡N，其中m＝1或2；(b)[(SiR₃)₂NSiH₂]_n‑NL_3‑n，其中n＝2或3；(c)(SiH₃)₂NSiH₂‑O‑SiH₂N(SiH₃)₂；以及(d)(SiR’₃)₂N‑SiH₂‑N(SiR’₃)₂；其中‑每个R独立地选自H、具有式‑NR¹R²的二烷基氨基、或脒基，‑每个R’独立地选自H、具有式‑NR¹R²的二烷基氨基、或脒基，前提是所有R’都不是H，‑R¹和R²独立地选自H或C1‑C12烃基，前提是R¹和R²不能同时等于H，并且如果R¹是H，则R²是C₂‑C12烃基，并且NR¹R²可以一起形成含N杂环配体，并且‑L选自H或C₁‑C₆烃基。