[发明专利]环氧硅氮烷化合物、包含该化合物的组合物以及使用了其的二氧化硅质膜的形成方法有效
| 申请号： | 201780072646.2 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110023379B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 冈村聪也;中段直孝;B·巴尼科尔;小崎力生;中本奈绪子 | 申请（专利权）人： | 睿智弗尤德收购公司 |
| 主分类号： | C08G77/54 | 分类号： | C08G77/54;C09D183/14;C08L83/14 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘卓然 |
| 地址： | 卢森堡国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种可缩短二氧化硅质膜成膜工艺的时间的环氧硅氮烷化合物与包含该环氧硅氮烷化合物的组合物。一种环氧硅氮烷化合物、以及包含该环氧硅氮烷化合物的组合物，该环氧硅氮烷化合物是具有特定的结构的环氧硅氮烷化合物，其中O原子相对于O原子与N原子的总数的比率为5％以上且25％以下，且在基于反门控去耦法对前述环氧硅氮烷化合物进行 |
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| 搜索关键词： | 环氧硅氮烷 化合物 包含 组合 以及 使用 二氧化硅 质膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种环氧硅氮烷化合物，其为具有由以下的通式(I)以及(II)表示的重复单元的环氧硅氮烷化合物，![]()
式中，Ra以及Rb各自独立地为氢原子、烷基、烯基、环烷基、或者芳基，条件是结合于1个Si原子的2个Ra之中的至少1个为氢原子，在所述环氧硅氮烷化合物中，O原子相对于O原子与N原子的总数的比率为5％以上且25％以下，且在基于反门控去耦法对所述环氧硅氮烷化合物进行29Si‑NMR而获得的光谱中，在‑75ppm～‑90ppm检测的峰的面积相对于在‑25ppm～‑55ppm检测的峰的面积的比率为4.0％以下。
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