[发明专利]光刻组合物、形成抗蚀图案的方法和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201780072674.4 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110023841B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 山本和磨;石井牧;八嶋友康;长原达郎 | 申请（专利权）人： | 默克专利有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘卓然 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及新的光刻组合物，使用该光刻组合物形成抗蚀图案，以及在光刻法中使用该光刻组合物的半导体器件制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 组合 形成 图案 方法 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种光刻组合物，包含光刻材料、水和由下式(I)表示的表面活性剂，![]()
其中a为1、2、3、4或5，b和c是整数，b+c＝2a+1，b为1或大于1，d为0、1或2，e为0或1，每个X独立地由下式(II)表示，‑O‑CFR1‑ 式(II)，R1为‑F、‑CF3、‑CF2H、‑CFH2或‑CH3，Y为‑COOH、‑SO3H或由下式(III)表示的酰胺基，![]()
n为0、1或2，L1由下式(IV)表示，![]()
f为0或1，并且g为0、1、2或3。
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