[发明专利]功率半导体模块

摘要

一种功率半导体模块，其包括基板(12)，基板(12)具有定位在所述基板(12)上的至少一个衬底(11,13,15,17)，其中电子电路设在所述至少一个衬底(11,13,15,17)上，其中电连接器定位在至少一个衬底(11,13,15,17)上，电连接器包括DC+功率端子(14)、DC‑功率端子(16)和AC功率端子(18)，且进一步包括控制连接器，其中功率半导体模块(10)设计为半桥式模块，其包括第一数量(24)的开关式功率半导体器件(26,28)和第二数量(30)的开关式功率半导体器件(32,34)，其特征在于，基板(12)包括接触区域(36)、第一器件区域(38)和第二器件区域(40)，其中接触区域(36)定位在基板(12)的中心，使得第一器件区域(38)定位在接触区域(36)的第一侧处，且第二器件区域(40)定位在接触区域(36)的第二侧处，第二侧布置成与第一侧相反，其中DC+功率端子(14)、DC‑功率端子(16)、AC功率端子(18)和控制连接器定位在接触区域(36)中，其中第一数量(24)的开关式功率半导体器件(26,28)定位在第一器件区域(38)中，且其中第二数量(30)的开关式功率半导体器件(32,34)定位在第二器件区域(40)中，其中第一器件区域(38)中的所有功率半导体器件(28,30)均定位在平行于基板(12)的宽度而对齐的两条平行线(42,44)上，且其中第二器件区域(40)中的所有功率半导体器件(32,34)均定位在平行于基板(12)的宽度而对齐的两条平行线(46,48)上。

主权项

1.一种功率半导体模块，其包括基板(12)，所述基板(12)具有定位在所述基板(12)上的至少一个衬底(11, 13, 15, 17)，其中电子电路设在所述至少一个衬底(11, 13, 15, 17)上，其中电连接器定位在所述至少一个衬底(11, 13, 15, 17)上，所述电连接器包括DC+功率端子(14)、DC‑功率端子(16)和AC功率端子(18)，且进一步包括控制连接器，其中所述功率半导体模块(10)设计为半桥式模块，其包括第一数量(24)的开关式功率半导体器件(26, 28)和第二数量(30)的开关式功率半导体器件(32, 34)，其特征在于，所述基板(12)包括接触区域(36)、第一器件区域(38)和第二器件区域(40)，其中所述接触区域(36)定位在所述基板(12)的中心，使得所述第一器件区域(38)定位在所述接触区域(36)的第一侧处，且所述第二器件区域(40)定位在所述接触区域(36)的第二侧处，所述第二侧布置成与所述第一侧相反，其中所述DC+功率端子(14)、所述DC‑功率端子(16)、所述AC功率端子(18)和所述控制连接器定位在所述接触区域(36)中，其中所述第一数量(24)的开关式功率半导体器件(26, 28)定位在所述第一器件区域(38)中，且其中所述第二数量(30)的开关式功率半导体器件(32, 34)定位在所述第二器件区域(40)中，其中所述第一器件区域(38)中的所有所述功率半导体器件(28, 30)均定位在平行于所述基板(12)的宽度而对齐的两条平行线(42, 44)上，且其中所述第二器件区域(40)中的所有所述功率半导体器件(32, 34)均定位在平行于所述基板(12)的宽度而对齐的两条平行线(46, 48)上。