[发明专利]检查方法、检查装置及标记形成方法有效
| 申请号： | 201780073132.9 | 申请日： | 2017-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN110024096B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 铃木信介;嶋瀬朗;铃木伸介 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一个实施方式所涉及的检查方法，是对具有基板(SiE)及形成于基板(SiE)上的金属层(ME)的半导体器件(D)进行激光标记的检查方法，包含：通过检查半导体器件(D)，特定半导体器件(D)中的故障部位(fp)的步骤；基于故障部位(fp)，以至少在基板(SiE)与金属层(ME)的边界形成有标记的方式，自基板(SiE)侧对半导体器件(D)照射透过基板(SiE)的波长的激光的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 检查 方法 装置 标记 形成 | ||
【主权项】：
1.一种检查方法，其特征在于，是对具有基板及形成于所述基板上的金属层的半导体器件进行激光标记的检查方法，包含：通过检查所述半导体器件，从而特定所述半导体器件中的规定位置的步骤；基于所述规定位置，以至少在所述基板与所述金属层的边界形成有标记的方式，自所述基板侧对所述半导体器件照射透过所述基板的波长的激光的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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