[发明专利]不带有板线的铁电存储器单元有效
申请号: | 201780073524.5 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN110326049B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | T.闫 | 申请(专利权)人: | 美国AUCMOS科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C14/00 | 分类号: | G11C14/00;H01L27/11 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 胡琪 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种铁电静态随机存取存储器(FeSRAM)单元,包括:(a)第一和第二交叉耦接反相器,连接在电源电压信号和接地参考电压信号之间,并且保持在第一和第二公共数据端子中以互补方式表示的数据信号;(b)第一和第二选择晶体管,分别耦接到交叉耦接反相器的第一和第二公共数据端子;以及(c)第一、第二、第三和第四铁电电容器,其中,第一和第二铁电电容器分别将第一公共数据端子耦接到电源电压信号和接地参考电压信号,并且其中第三和第四铁电电容器分别将第二公共数据端子耦接到电源电压信号和接地参考电压信号。 | ||
搜索关键词: | 带有 存储器 单元 | ||
【主权项】:
1.一种铁电静态随机存取存储器(FeSRAM)单元,包括:第一和第二交叉耦接反相器,连接在电源电压信号和接地参考电压信号之间,并且保持在第一和第二公共数据端子中以互补方式表示的数据信号;第一和第二选择晶体管,分别耦接到所述交叉耦接反相器的所述第一和第二公共数据端子;以及第一、第二、第三和第四铁电电容器,其中第一和第二铁电电容器分别将第一公共数据端子耦接到所述电源电压信号和所述接地参考电压信号,并且其中第三和第四铁电电容器分别将第二公共数据端子耦接到所述电源电压信号和所述接地参考电压信号。
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