[发明专利]封装装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780074147.7 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110024094B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 中村智宣;前田彻 | 申请（专利权）人： | 株式会社新川 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本东京武藏村*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供即使层叠数多，也能够适当地封装多个半导体芯片的封装装置以及半导体装置的制造方法。将2个以上的半导体芯片层叠于基板上的多个部位而进行封装的封装装置包括：平台，支持所述基板；接合部，一面对所述多个半导体芯片及所述基板进行加热，一面将多个半导体芯片层叠于所述基板而进行封装；以及隔热构件，为介于所述平台与所述基板之间的隔热构件，且具有第一层与第二层，所述第一层与所述基板接触，经由所述半导体芯片及所述基板而被所述接合部施加热，所述第二层设置于较所述第一层更靠所述平台侧，所述第一层的热阻大于所述第二层的热阻。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 装置 以及 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装装置，其是将2个以上的半导体芯片层叠于基板上的多个部位而进行封装的封装装置，其特征在于包括：平台，支持所述基板；接合部，一面对所述多个半导体芯片及所述基板进行加热，一面将多个半导体芯片层叠于所述基板而进行封装；以及隔热构件，为介于所述平台与所述基板之间的隔热构件，且具有邻接于所述基板的第一层、与设置于较所述第一层更靠所述平台侧的第二层，所述第一层的热阻大于所述第二层的热阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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