[发明专利]半导体装置的制造方法以及封装装置

摘要

本发明提供半导体装置的制造方法及封装装置，其可防止经正式压接的芯片层叠体的周边的芯片层叠体中的不期望的热变化。半导体装置的制造方法具备：临时压接步骤，一面将一个以上的半导体芯片依次分别临时压接于基板上的两个以上的部位，一面进行层叠，从而形成临时压接状态的芯片层叠体；以及正式压接步骤，对所形成的全部临时压接状态的芯片层叠体的上表面依序加热加压并进行正式压接，进而，具备确定步骤，在临时压接步骤之前，确定自正式压接中的芯片层叠体起至通过用于正式压接的加热而升温的基板的温度成为规定的容许温度以下的部位为止的距离即间隔距离，在临时压接步骤中，使临时压接状态的芯片层叠体彼此隔开间隔距离以上而形成。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其为将一个以上的半导体芯片层叠于基板上的多个部位并进行封装的半导体装置的制造方法，且所述半导体装置的制造方法的特征在于包括：临时压接步骤，一面将一个以上的半导体芯片依次分别临时压接于所述基板上的两个以上的部位，一面进行层叠，从而形成临时压接状态的芯片层叠体；以及正式压接步骤，对所形成的全部所述临时压接状态的芯片层叠体的上表面依序加热加压，由此一并对构成各芯片层叠体的一个以上的半导体芯片进行正式压接，将所述临时压接步骤及所述正式压接步骤重复进行两次以上，直至所述芯片层叠体达到所需的个数，进而，包括确定步骤，即，在所述临时压接步骤之前，确定自正式压接中的芯片层叠体起至通过用于所述正式压接的加热而升温的所述基板的温度成为规定的容许温度以下的部位为止的距离即间隔距离，在所述临时压接步骤中，使所述临时压接状态的芯片层叠体彼此隔开所述间隔距离以上而形成，且在所述正式压接步骤中，对隔开所述间隔距离以上而形成的所述临时压接状态的芯片层叠体进行正式压接。