[发明专利]物理气相沉积腔室中的颗粒减量有效
| 申请号： | 201780074910.6 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110062950B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 曾为民;清·X·源;曹勇 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/06;C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本文提供用于在处理腔室中进行的处理中减少产生的颗粒的方法和设备。在一些实施方式中，处理配件屏蔽件包括：主体，该主体具有表面，该表面面向物理气相沉积(PVD)处理腔室的处理空间，其中该主体由氧化铝(Al |
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| 搜索关键词： | 物理 沉积 中的 颗粒 | ||
【主权项】：
1.一种用于沉积非晶硅材料的处理配件屏蔽件，所述处理配件屏蔽件包括：主体，所述主体具有表面，所述表面面向物理气相沉积(PVD)处理腔室的处理空间，其中所述主体由氧化铝(Al2O3)构成；和氮化硅层，所述氮化硅层在所述主体的所述表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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