[发明专利]具有栅极沟槽和掩埋的终端结构的功率半导体器件及相关方法有效
| 申请号： | 201780074972.7 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110036486B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | D·J·里切特恩沃尔纳;E·R·万布鲁特;B·胡尔 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件包括半导体层结构，半导体层结构包括包含宽带隙半导体材料的漂移区域。与漂移区域的导电类型相反导电类型的屏蔽图案设置在器件的有源区域中的漂移区域的上部部分中，并且与漂移区域的导电类型相反导电类型的终端结构设置在器件的终端区域中的漂移区域的上部部分中。栅极沟槽延伸到半导体层结构的上部表面中。半导体层结构包括在终端结构上面延伸并且至少部分地覆盖终端结构的半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 沟槽 掩埋 终端 结构 功率 半导体器件 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体层结构，所述半导体层结构包括包含宽带隙半导体材料的漂移区域；屏蔽图案，在所述半导体器件的有源区域中在所述漂移区域的上部部分中；终端结构，在所述半导体器件的终端区域中在所述漂移区域的上部部分中；以及栅极沟槽，所述栅极沟槽延伸到所述半导体层结构的上部表面中；其中所述半导体层结构包括半导体层，所述半导体层在所述终端结构上面延伸并且至少部分地覆盖所述终端结构。
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