[发明专利]高可靠性发光二极管有效
| 申请号： | 201780075097.4 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110073505B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 吴世熙;金贤儿;李俊燮;姜珉佑;林亨镇 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/36;H01L33/64;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种高可靠性发光二极管。根据一实施例的发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在台面上而与第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露第一导电型半导体层以及欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在下部绝缘层上，并且与第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在下部绝缘层上，并且与第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖第一焊盘金属层以及金属反射层，并且具有暴露第一焊盘金属层的开口部，金属反射层的至少一部分覆盖台面的侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其中，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在所述第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在所述台面上而与所述第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖所述台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露所述第一导电型半导体层以及所述欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在所述下部绝缘层上，并且与所述第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在所述下部绝缘层上，并且与所述第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层以及所述金属反射层，并且具有暴露所述第一焊盘金属层的开口部，所述金属反射层的至少一部分覆盖所述台面的侧表面。
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