[发明专利]碳化硅单晶的制造方法

摘要

本发明的碳化硅单晶的制造方法是使用导向构件而使上述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法，该制造方法具有单晶生长工序和晶体生长结束工序，并且在上述单晶生长工序与上述晶体生长结束工序之间具有间隙扩大工序，所述单晶生长工序以在上述碳化硅晶种上生长的碳化硅单晶的侧面与上述导向构件的内侧面及沉积在该导向构件的内侧面的晶体的间隙不闭塞的方式使碳化硅单晶生长，所述晶体生长结束工序使温度降低来结束晶体生长，所述间隙扩大工序将上述间隙的入口附近的原料气体内的Si2C的分压Pin与上述间隙的出口附近的原料气体内的Si2C的分压Pout之差Pin‑Pout维持为0.18torr以下的状态来扩大上述间隙。

主权项

1.一种碳化硅单晶的制造方法，是使用导向构件而使所述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法，在配置于坩埚内的碳化硅晶种附近配置所述导向构件的一端，所述导向构件将原料气体向碳化硅晶种侧引导，该制造方法具有单晶生长工序和晶体生长结束工序，在所述单晶生长工序与所述晶体生长结束工序之间具有间隙扩大工序，在所述单晶生长工序中，以在所述碳化硅晶种上生长的碳化硅单晶的侧面与所述导向构件的内侧面及沉积在该导向构件的内侧面上的晶体的间隙不完全闭塞的方式生长碳化硅单晶，在所述晶体生长结束工序中，使温度降低来结束晶体生长，在所述间隙扩大工序中，使所述间隙的入口附近的原料气体内的Si₂C的分压Pin与所述间隙的出口附近的原料气体内的Si₂C的分压Pout之差Pin‑Pout维持为0.18torr以下的状态来扩大所述间隙。