[发明专利]电容矩阵布置及其激励方法有效
申请号: | 201780076100.4 | 申请日: | 2017-10-10 |
公开(公告)号: | CN110073440B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | K·德玛斯休思;A·克斯什 | 申请(专利权)人: | 塞姆隆有限责任公司 |
主分类号: | G11C11/24 | 分类号: | G11C11/24;G11C11/22 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种电容矩阵布置,其包括有源介质,其布置在字线和位线之间的层中,其交叉点具有可通过字线和位线的激励选择的具有介入有源介质的电容单元,还涉及一种激励方法,其中本发明基于将矩阵中的电容元件的有源激励与无源激励的优点结合的目标。这是通过字线具有可变的德拜长度来实现的,即它们由具有可变移动电荷载流子浓度的材料组成,并且布置在有源介质和非有源电介质之间。通过控制电场的作用来进行激励。 | ||
搜索关键词: | 电容 矩阵 布置 及其 激励 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电容矩阵布置,包括有源介质(1),其嵌入在第一组和第二组相应的并行寻址电极之间的层中,其中第一组的寻址电极形成字线(2),第二组寻址电极形成矩阵布置的位线(3),其中字线(2)和位线(3)在交叉点相交,具有介入有源介质(1)的电容单元(4)布置在交叉点处,可通过字线(2)和位线(3)的激励来选择,其特征在于,至少在交叉点区域中的字线(2)由具有可变德拜长度的材料组成,即,具有可变移动电荷载流子浓度的材料,并且布置在有源介质(1)和非有源电介质(7)之间,与它们形成分层布置,并且分层布置位于参比电极(5,6)和位线(3)之间,其中‑选择分层布置的第一层,使得从字线看到的有源介质位于具有参比电极的一侧并且‑或者,选择分层布置的第二层,使得从字线看到的有源介质位于具有位线的一侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于塞姆隆有限责任公司,未经塞姆隆有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780076100.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。