[发明专利]在衬底上形成结构的方法有效
| 申请号： | 201780076296.7 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN110050329B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | W·卡内鹏;J·W·麦斯;B·琼布罗德;K·K·卡谢尔;D·皮尔勒科斯;D·K·德罗斯特 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 乐洪咏;沙永生 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种通过向衬底提供硬掩模材料在所述衬底上形成层的方法。在N个渗透循环期间，用渗透材料渗透所述硬掩模材料，所述渗透循环是通过以下进行：a)将第一前驱体提供至在反应腔室中的衬底上的所述硬掩模材料上，保持第一时间段T1；b)移除所述第一前驱体的一部分，保持第二时间段T2；以及c)将第二前驱体提供至在所述衬底上的所述硬掩模材料上，保持第三时间段T3，以使所述第一和第二前驱体彼此反应，形成所述渗透材料。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 形成 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上形成结构的方法，其包括：在反应腔室中向所述衬底提供硬掩模材料；以及在一个或多个渗透循环期间，用渗透材料渗透所述硬掩模材料，所述一个或多个渗透循环包括：a)将第一前驱体提供至在所述反应腔室中的所述衬底上的所述硬掩模材料上，保持第一时间段T1；b)从所述反应腔室中移除所述第一前驱体的一部分，保持第二时间段T2；以及c)将第二前驱体提供至在所述衬底上的所述硬掩模材料上，保持第三时间段T3，使所述第一和第二前驱体彼此反应，在所述硬掩模材料中形成所述渗透材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
