[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质有效
| 申请号： | 201780076699.1 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110073473B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 德永容一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 基片处理装置(10)包括：保持晶片(W)并使其旋转的旋转保持部(21)；对由旋转保持部(21)保持的晶片(W)的周缘部(We)供给处理液的液供给部(22)；检测周缘部(We)的温度分布的传感器(23)；和控制装置(4)，其构成为能够执行如下动作：基于温度分布，来检测周缘部(We)中附着处理液的区域与未附着处理液的区域的边界部(B1、B2)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：保持基片并使其旋转的旋转保持部；对由所述旋转保持部保持的所述基片的周缘部供给处理液的液供给部；检测所述周缘部的温度分布的传感器；和控制装置，其构成为能够执行如下动作：基于所述温度分布，来检测所述周缘部中附着所述处理液的区域与未附着所述处理液的区域的边界部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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