[发明专利]曝光装置、衬底处理装置、衬底曝光方法及衬底处理方法有效
| 申请号： | 201780077239.0 | 申请日： | 2017-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN110100301B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 福本靖博;大木孝文;松尾友宏;浅井正也;春本将彦;田中裕二;中山知佐世 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的曝光装置(100)具备投光部(160)、照度计(183)、遮光部(190)、投光控制部(12)。通过投光部向衬底(W)的被处理面照射真空紫外线。在从投光部向衬底照射真空紫外线的照射期间，通过照度计接收一部分真空紫外线，并计测所接收到的真空紫外线的照度。在照射期间，通过遮光部断断续续地遮挡真空紫外线向照度计的受光面的入射。基于通过照度计所计测出的照度，使投光部停止向衬底照射真空紫外线。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 衬底 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，具备：投光部，以能向衬底的被处理面照射真空紫外线的方式设置；照度计，具有在从所述投光部向衬底照射真空紫外线的照射期间接收一部分真空紫外线的受光面，计测所接收到的真空紫外线的照度；遮光部，在所述照射期间断断续续地遮挡真空紫外线向所述照度计的所述受光面的入射；及投光控制部，以向衬底照射真空紫外线的方式控制所述投光部，并且基于通过所述照度计所计测出的照度，以停止向衬底照射真空紫外线的方式控制所述投光部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团，未经株式会社斯库林集团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780077239.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
