[发明专利]辐射源设备和方法、光刻设备和检查设备有效

专利信息
申请号: 201780077241.8 申请日: 2017-11-22
公开(公告)号: CN110088682B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: N·斯伯克;P·C·M·普兰肯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H05G2/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张启程
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: EUV辐射源(42,300)被用于例如光刻设备或检查设备中。为了产生EUV辐射(302),将位于第二波段的激光辐射(304)引导到液体锡燃料(69)的靶上,以使得产生等离子体。在传递所述激光辐射(304)之前或期间将光栅辐射(328)引导到所述靶上,以产生具有空间分布的电磁场,所述空间分布包括跨过靶(406)的多个峰和谷。这使得所述靶的性质,诸如折射率,产生对应的空间变化。如果能量足够高,则它可以使得光栅图案中发生烧蚀或形成等离子体。通过一个或更多个机制,诸如表面等离子体激元,靶的光学性质的这种周期性变化提高了激光能量的吸收,从而提高了辐射源设备的转换效率。
搜索关键词: 辐射源 设备 方法 光刻 检查
【主权项】:
1.一种用于提供位于第一波段的第一辐射的设备,所述设备包括:‑系统,配置成将位于第二波段的第二辐射引导到靶上,以引起生成所述第一辐射;并配置成在传递所述第二辐射之前和/或期间将第三辐射引导到所述靶上,所述第三辐射被传递以使得产生具有能量的空间分布的电磁场,所述能量的空间分布包括跨过所述靶的多个峰和谷,以便引起所述靶的性质产生对应的空间变化。
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