[发明专利]激光加工装置及激光加工方法有效
申请号: | 201780077289.9 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN110337708B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 牟礼胜仁;嶋田诚;福冈大岳;土本秀和 | 申请(专利权)人: | 日商斯米特克股份有限公司;住友大阪水泥股份有限公司;浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/046;B23K26/70 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 激光加工装置具备:测定用光源;聚光用透镜;根据在激光入射面被反射的测定用光的反射光,检测激光入射面的位移的位移检测部;及将测定用光及测定用光的反射光的至少任一者的成像状态进行移动的成像状态调整部。位移检测部具有:将测定用光的反射光分支成多个分支反射光的分支部;对多个分支反射光各个附加互相不同的大小的像散量的多个像散附加部;检测附加有像散的多个分支反射光各自的光束形状的多个光束形状检测部;及从多个分支反射光的光路之中,选择对应于由成像状态调整部进行调整的成像状态的一个,根据所选择的分支反射光的光路中的光束形状检测部的检测结果,取得关于位移的信号的信号取得部。 | ||
搜索关键词: | 激光 加工 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种激光加工装置,其特征在于,是通过将加工用激光聚光于加工对象物,而在所述加工对象物形成改质区域的激光加工装置,具备:测定用光源,其出射测定用光;聚光用透镜,其将所述加工用激光及所述测定用光聚光于所述加工对象物;位移检测部,其根据在所述加工对象物的激光入射面被反射的所述测定用光的反射光,检测所述激光入射面的位移;及成像状态调整部,其将所述测定用光及所述测定用光的反射光的至少任一者的成像状态进行移动,所述位移检测部具有:分支部,其将所述测定用光的反射光分支成多个分支反射光;多个像散附加部,其设置于多个所述分支反射光的光路的各个,对多个所述分支反射光的各个附加互相不同的大小的像散量;多个光束形状检测部,其设置于多个所述分支反射光的光路的各个,检测附加有像散的多个所述分支反射光各自的光束形状;及信号取得部,其从多个所述分支反射光的光路之中,选择对应于由所述成像状态调整部进行调整的所述成像状态的一个,根据所选择的所述分支反射光的光路中的所述光束形状检测部的检测结果,取得关于所述位移的信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造