[发明专利]使用位线和选择栅极电压调节的编程干扰抑制有效
| 申请号： | 201780077319.6 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN110073441B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | C·陈;K-T·张;约拉姆·比特森;S·谢蒂;乔瓦尼·马泽奥;T·W·梁;帕万·基肖尔·辛格 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/16;G11C16/26;G11C16/30;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陆建萍;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了用于存储器装置中的编程干扰的抑制的技术。在示例实施例中，存储器装置包括耦合到控制电路的闪存阵列。闪存阵列包括存储器单元的行和列，其中每行中的存储器单元耦合到源极线和选择栅极(SG)线，并且每列中的存储器单元耦合到相应的位线(BL)。控制电路被配置为独立于闪存阵列的电源电压来调节选择的SG线的第一电压和未被选择的BL的第二电压两者，并且基于对存储器装置的操作温度的测量来调整第一电压和第二电压中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 选择 栅极 电压 调节 编程 干扰 抑制 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括：闪存阵列，其包括存储器单元的行和列，其中在特定行中的所述存储器单元耦合到特定源极线和特定选择栅极(SG)线，并且其中在特定列中的所述存储器单元耦合到特定位线；以及控制电路，其耦合到所述闪存阵列，并且被配置为至少：独立于所述闪存阵列的电源电压，调节选择的SG线的第一电压和未被选择的位线的第二电压两者；以及基于对所述存储器装置的操作温度的测量来调整所述第一电压和所述第二电压中的至少一个。
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